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J-GLOBAL ID：201702275287881525 整理番号：17A0826639

ホットエレクトロンによる動的MOSFETの劣化のコンパクトモデリング【Powered by NICT】

Compact Modeling of Dynamic MOSFET Degradation Due to Hot-Electrons

著者 (8件)：

Tanoue H.

(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)

,

Tanaka A.

(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)

,

Oodate Y.

(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)

,

Nakahagi T.

(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)

,

Sugiyama D.

(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)

,

Ma C.

(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)

,

Mattausch H. J.

(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)

,

Miura-Mattausch M.

(Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan)

資料名：

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)

巻： 17 号： 1 ページ： 52-58 発行年： 2017年
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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