文献
J-GLOBAL ID:201702275401986276
整理番号:17A0930045
高周波スパッタリング法により作製したSi:SiO2膜のアニール後のフォトルミネセンスと表面化学の特徴づけ
Characterization of Photoluminescence and Surface Chemistry after Annealing about Si:SiO2 Films Fabricated by Radio Frequency Sputtering
著者 (2件):
TANAKA Koichi
(Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOSHIDA Taichi
(Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN)
資料名:
Key Engineering Materials
(Key Engineering Materials)
巻:
698
ページ:
13-18
発行年:
2016年
JST資料番号:
D0744C
ISSN:
1013-9826
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)