Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (7件)：
資料名：
巻： 178 ページ： 80-84 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702277761798636
整理番号：17A1125329
HAXPES解析から評価したSi-MOS構造のための潜在的変化と化学結合の特徴【Powered by NICT】
Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis
Ohta Akio
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Ohta Akio
(Institute for Advanced Research, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8601, Japan)
,
Murakami Hideki
(National Institute of Technology, Kurume College, 1-1-1, Komorino, Kurume, Fukuoka 830-8555, Japan)
,
Ikeda Mitsuhisa
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Makihara Katsunori
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Ikenaga Eiji
(Japan Synchrotron Radiation Research Institute, 1-1-1, Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo 679-5148, Japan)
,
Miyazaki Seiichi
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 178 ページ： 80-84 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。