文献
J-GLOBAL ID:201702281664928905
整理番号:17A1276925
疲労荷重下の単結晶シリコン中の亜臨界滑り成長の世界初の電子イメージング【Powered by NICT】
World-first electronic imaging of subcritical slip growth in single crystal silicon under fatigue loading
著者 (4件):
Kamiya Shoji
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Kongo Akira
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Sugiyama Hiroko
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Izumi Hayato
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
TRANSDUCERS
ページ:
1229-1232
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)