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文献
J-GLOBAL ID:201702281680636459   整理番号:17A0605016

GaN基板のプラズマ融合CMP技術-エタノールバブリング・Arプラズマを用いたプラズマ融合CMP特性とその評価-

Plasma fusion CMP technology for GaN substrates-Evaluation of processing characteristics for plasma fusion CMP using Ar plasma and ethanol bubbling-
著者 (11件):
山崎直樹
(九大)
山崎直樹
(並木精密宝石)
土肥俊郎
(九大)
會田英雄
(九大)
會田英雄
(並木精密宝石)
KIM Seongwoo
(並木精密宝石)
大山幸希
(並木精密宝石)
黒河周平
(九大)
佐野泰久
(大阪大)
白谷正治
(九大)
山西陽子
(九大)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 117  号: 7(SDM2017 1-8)  ページ: 19-23  発行年: 2017年04月13日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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