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J-GLOBAL ID：201702283330022996 整理番号：17A0742678

ゲート長が1nmのMoS₂トランジスタ

MoS₂ transistors with 1-nanometer gate lengths

著者 (19件)：

DESAI Sujay B.

(Univ. California, CA, USA)

DESAI Sujay B.

(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)

MADHVAPATHY Surabhi R.

(Univ. California, CA, USA)

MADHVAPATHY Surabhi R.

(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)

SACHID Angada B.

(Univ. California, CA, USA)

SACHID Angada B.

(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)

LLINAS Juan Pablo

(Univ. California, CA, USA)

LLINAS Juan Pablo

(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)

WANG Qingxiao

(Univ. Texas at Dallas, TX, USA)

AHN Geun Ho

(Univ. California, CA, USA)

AHN Geun Ho

(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)

PITNER Gregory

(Stanford Univ., CA, USA)

KIM Moon J.

(Univ. Texas at Dallas, TX, USA)

BOKOR Jeffrey

(Univ. California, CA, USA)

BOKOR Jeffrey

(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)

HU Chenming

(Univ. California, CA, USA)

WONG H.-S. Philip

(Stanford Univ., CA, USA)

JAVEY Ali

(Univ. California, CA, USA)

JAVEY Ali

(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)

資料名：

Science (Science)

巻： 354 号： 6308 ページ： 99-102 発行年： 2016年10月07日
JST資料番号： E0078A ISSN： 0036-8075 CODEN： SCIEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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