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著者 (4件)：
資料名：
巻： 2016 号： SSLChina: IFWS ページ： 42-45 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702285895930935
整理番号：17A0057886
1200V単一チップSiC MOSFETとSi IGBTの短絡能力の比較と解析【Powered by NICT】
Comparison and analysis of short circuit capability of 1200V single-chip SiC MOSFET and Si IGBT
Sun Jiahui
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China)
,
Xu Hongyi
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China)
,
Wu Xinke
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China)
,
Sheng Kuang
(College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SSLChina: IFWS ページ： 42-45 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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