文献
J-GLOBAL ID:201702286154547555
整理番号:17A1220849
プラズマ増強化学気相成長によるSi基板上の窒素ドープダイヤモンド状カーボン膜の構造,電気特性,および電流-電圧特性
Structural and electrical properties and current-voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition
著者 (12件):
TSUCHIYA Masato
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
MURAKAMI Kazuki
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
MAGARA Kohei
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
NAKAMURA Kazuki
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
OHASHI Haruka
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
TOKUDA Kengo
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
TAKAMI Takahiro
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
OGASAWARA Haruka
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
ENTA Yoshiharu
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
SUZUKI Yushi
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
ANDO Satoshi
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
,
NAKAZAWA Hideki
(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
6
ページ:
065502.1-065502.6
発行年:
2016年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)