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資料名：
巻： 56 号： 8 ページ： 085104.1-085104.4 発行年： 2017年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702286882171609
整理番号：17A1810907
SiCの表面分解法によるグラフェンのエピタキシャル成長に対するイオンビーム照射の効果
Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method
ISHII Junko
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
,
ISHII Junko
(Kitakyushu Coll., Kitakyushu, JPN)
,
MIYAWAKI Yasuhiro
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
,
YAMASAKI Takayuki
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
,
IKARI Tomonori
(Ube Coll., Yamaguchi, JPN)
,
NAITOH Masamichi
(Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 8 ページ： 085104.1-085104.4 発行年： 2017年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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