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J-GLOBAL ID：201702291147506187 整理番号：17A0214310

5nm論理およびそれ以上の応用のための新しい引張Si(n)と圧縮SiGe(p)二重チャネルCMOS FinFET共積分スキーム【Powered by NICT】

A novel tensile Si (n) and compressive SiGe (p) dual-channel CMOS FinFET co-integration scheme for 5nm logic applications and beyond

著者 (26件)：

Bae Dong-il

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Bae Geumjong

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Bhuwalka Krishna K

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Lee Seung-Hun

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Song Myung-Geun

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Jeon Taek-soo

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Kim Cheol

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Kim Wookje

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Park Jaeyoung

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Kim Sunjung

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Kwon Uihui

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Jeon Jongwook

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Nam Kab-Jin

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Lee Sangwoo

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Lian Sean

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Seo Kang-ill

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Lee Sun-Ghil

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Park Jae Hoo

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Heo Yeon-Cheol

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Rodder Mark S.

(Advanced Logic Labs, 12100 Samsung Blvd, Austin, TX, USA)

,

Kittl Jorge A.

(Advanced Logic Labs, 12100 Samsung Blvd, Austin, TX, USA)

,

Kim Yihwan

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Hwang Kihyun

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Kim Dong-Won

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Liang Mong-song

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

,

Jung E S

(Samsung R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Republic of Korea)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2016 号： IEDM ページ： 28.1.1-28.1.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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