文献
J-GLOBAL ID:201702291628239912
整理番号:17A1220924
マイクロ・ナノスケール集束イオンビーム加工シリコン構造の破壊挙動に及ぼす700°C真空アニールの影響
Influence of 700 °C vacuum annealing on fracture behavior of micro/nanoscale focused ion beam fabricated silicon structures
著者 (5件):
GOSHIMA Yoshiharu
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
GOSHIMA Yoshiharu
(HORIBA Ltd., Kyoto, JPN)
,
FUJII Tatsuya
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
INOUE Shozo
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
NAMAZU Takahiro
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
6S1
ページ:
06GL03.1-06GL03.6
発行年:
2016年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)