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著者 (5件)：
資料名：
巻： 55 号： 8 ページ： 086503.1-086503.5 発行年： 2016年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702291705767562
整理番号：17A1221117
低電圧電力MOSFET用エキシマレーザアニーリング
Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET
CHEN Yi
(Univ. the Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
OKADA Tatsuya
(Univ. the Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
NOGUCHI Takashi
(Univ. the Ryukyus, Okinawa, JPN)
,
MAZZAMUTO Fulvio
(LASSE-SCREEN Semiconductor Solutions, Gennevilliers, FRA)
,
HUET Karim
(LASSE-SCREEN Semiconductor Solutions, Gennevilliers, FRA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 8 ページ： 086503.1-086503.5 発行年： 2016年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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