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文献
J-GLOBAL ID:201702291880553686   整理番号:17A1465163

N_2OガスによるSi(100)上の酸窒化反応速度論における温度と圧力の影響【Powered by NICT】

Effects of temperature and pressure in oxynitridation kinetics on Si(100) with N2O gas
著者 (4件):
Enta Yoshiharu
(Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)
Wada Makoto
(Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)
Arita Mariko
(Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)
Takami Takahiro
(Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)

資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)

巻: 70  ページ: 63-67  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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