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著者 (4件)：
資料名：
巻： 70 ページ： 63-67 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702291880553686
整理番号：17A1465163
N_2OガスによるSi(100)上の酸窒化反応速度論における温度と圧力の影響【Powered by NICT】
Effects of temperature and pressure in oxynitridation kinetics on Si(100) with N2O gas
Enta Yoshiharu
(Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)
,
Wada Makoto
(Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)
,
Arita Mariko
(Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)
,
Takami Takahiro
(Graduate School of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki 036-8561, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 70 ページ： 63-67 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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