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著者 (11件)：
資料名：
巻： 2016 号： IEDM ページ： 7.7.1-7.7.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201702295222675803
整理番号：17A0214185
GeSbTeベース記憶とセレクタデバイスのためのマルチドメインコンパクトモデリングと大規模3Dクロスポイントメモリアレイのシミュレーション【Powered by NICT】
Multi-domain compact modeling for GeSbTe-based memory and selector devices and simulation for large-scale 3-D cross-point memory arrays
Xu Nuo
(Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA)
,
Wang Jing
(Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA)
,
Deng Yexin
(Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA)
,
Lu Yang
(Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA)
,
Fu Bo
(Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA)
,
Choi Woosung
(Device Lab, Samsung Semiconductor America, San Jose, CA, 95134, USA)
,
Monga Udit
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
,
Jeon Jongwook
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
,
Kim Jongchol
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
,
Lee Keun-Ho
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
,
Jung Eun Seung
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 7.7.1-7.7.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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