Sorry, this section is only available in Japanese.

前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：201802210806066614 整理番号：18A0910886

トンネル電界効果トランジスタの短チャネル効果シミュレーション

Simulation study of short-channel effects of tunnel field-effect transistors

著者 (11件)：

FUKUDA Koichi

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

ASAI Hidehiro

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

HATTORI Junichi

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

MORI Takahiro

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

MORITA Yukinori

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

MIZUBAYASHI Wataru

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

MASAHARA Meishoku

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

MIGITA Shinji

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

OTA Hiroyuki

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

ENDO Kazuhiro

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

,

MATSUKAWA Takashi

(National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

資料名：

Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

巻： 57 号： 4S ページ： 04FD04.1-04FD04.4 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM