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資料名：
巻： 117 号： 427(SDM2017 91-96) ページ： 17-20 発行年： 2018年01月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802211001430260
整理番号：18A0360323
新しい絶縁体-2D金属転移FETに基づく優れた安定性を持つSTDPシナプス
STDP Synapse with Outstanding Stability based on a Novel Insulator-to-2D-Metal Transition FET
STOLIAR Pablo
(National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
STOLIAR Pablo
(CIC nanoGUNE, San Sebastian, ESP)
,
SCHULMAN Alejandro
(National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
KITOH Ai
(National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
SAWA Akihito
(National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
INOUE Isao H
(National Inst. of Advanced Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117 号： 427(SDM2017 91-96) ページ： 17-20 発行年： 2018年01月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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