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資料名：
巻： 11 号： 1 ページ： 015501.1-015501.3 発行年： 2018年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802215108205781
整理番号：18A0917657
(113)B GaAs基板上に成長させたGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造における副格子反転
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates
LU Xiangmeng
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
KUMAGAI Naoto
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
MINAMI Yasuo
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
,
KITADA Takahiro
(Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 11 号： 1 ページ： 015501.1-015501.3 発行年： 2018年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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