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J-GLOBAL ID：201802215629654435 整理番号：18A0929777

単層WSe_2-MOS_2横ヘテロ接合の自己整列およびスケーラブル成長【JST・京大機械翻訳】

Self-Aligned and Scalable Growth of Monolayer WSe₂-MoS₂ Lateral Heterojunctions

著者 (8件)：

Li Ming-Yang

(Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan)

Li Ming-Yang

(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)

Pu Jiang

(Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)

Huang Jing-Kai

(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)

Miyauchi Yuhei

(Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto, 611-0011, Japan)

Matsuda Kazunari

(Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto, 611-0011, Japan)

Takenobu Taishi

(Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)

Li Lain-Jong

(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)

資料名：

Advanced Functional Materials (Advanced Functional Materials)

巻： 28 号： 17 ページ： e1706860 発行年： 2018年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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