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J-GLOBAL ID:201802215629654435   整理番号:18A0929777

単層WSe_2-MOS_2横ヘテロ接合の自己整列およびスケーラブル成長【JST・京大機械翻訳】

Self-Aligned and Scalable Growth of Monolayer WSe2-MoS2 Lateral Heterojunctions
著者 (8件):
Li Ming-Yang
(Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, 11529, Taiwan)
Li Ming-Yang
(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
Pu Jiang
(Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
Huang Jing-Kai
(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
Miyauchi Yuhei
(Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto, 611-0011, Japan)
Matsuda Kazunari
(Institute of Advanced Energy, Kyoto University, Uji, Kyoto, 611-0011, Japan)
Takenobu Taishi
(Department of Applied Physics, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan)
Li Lain-Jong
(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)

資料名:
Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)

巻: 28  号: 17  ページ: e1706860  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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