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J-GLOBAL ID：201802215972857380 整理番号：18A1183462

表面硫化Cu(InGa)Se₂薄膜太陽電池における再結合の減少

Reduced recombination in a surface-sulfurized Cu(InGa)Se₂ thin-film solar cell

著者 (10件)：

KIM Shinho

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

NISHINAGA Jiro

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

KAMIKAWA Yukiko

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

ISHIZUKA Shogo

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

NAGAI Takehiko

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

KOIDA Takashi

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

TAMPO Hitoshi

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

SHIBATA Hajime

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

MATSUBARA Koji

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

,

NIKI Shigeru

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

資料名：

Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

巻： 57 号： 5 ページ： 055701.1-055701.6 発行年： 2018年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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