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J-GLOBAL ID:201802218500107758   整理番号:18A1903318

SAG-HVPEにおけるGaN 3-D微細構造の成長速度論を調整することによる結晶工学【JST・京大機械翻訳】

Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE
著者 (8件):
Avit Geoffrey
(Universite Clermont Auvergne, CNRS, SIGMA Clermont, Institut Pascal, F-63000 Clermont-Ferrand, France. geoffreyavit@gmail.com)
Zeghouane Mohammed
Andre Yamina
Castelluci Dominique
Gil Evelyne
Bae Si-Young
Amano Hiroshi
Trassoudaine Agnes

資料名:
CrystEngComm  (CrystEngComm)

巻: 20  号: 40  ページ: 6207-6213  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2462A  ISSN: 1466-8033  CODEN: CRECF4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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