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文献
J-GLOBAL ID:201802223977211942   整理番号:18A1669527

Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果

Effects of nitrogen doping on the properties of Si-doped DLC films
著者 (10件):
中村和樹
(弘前大 大学院理工学研究科)
大橋遼
(弘前大 大学院理工学研究科)
横山大
(東北大 電通研)
田島圭一郎
(東北大 電通研)
遠藤則史
(東北大 電通研)
末光眞希
(東北大 電通研)
遠田義晴
(弘前大 大学院理工学研究科)
小林康之
(弘前大 大学院理工学研究科)
鈴木裕史
(弘前大 大学院理工学研究科)
中澤日出樹
(弘前大 大学院理工学研究科)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 118  号: 179(CPM2018 8-19)  ページ: 1-6  発行年: 2018年08月02日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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