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J-GLOBAL ID:201802226012414680   整理番号:18A0589724

10nmクラスDRAMプロセスにおけるNBTI耐性回路解,SWD PMOS GIDL低減技術,適応歯車ダウン方式と準安定自由DQS露光装置を用いた16Gb LPDDR4X SDRAM【Powered by NICT】

A 16Gb LPDDR4X SDRAM with an NBTI-tolerant circuit solution, an SWD PMOS GIDL reduction technique, an adaptive gear-down scheme and a metastable-free DQS aligner in a 10nm class DRAM process
著者 (47件):
Chun Ki Chul
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Chu Yong-Gyu
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Heo Jin-Seok
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Tae-Sung
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Soohwan
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Yang Hui-Kap
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Mi-Jo
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Lee Chang-Kyo
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Juhwan
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Yoon Hyunchul
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Shin Chang-Ho
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Cha Sanguhn
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Hyung-Jin
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Young-Sik
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Kyungryun
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Young-Ju
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Choi Wonjun
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Yim Dae-Sik
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Moon Inkyu
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Young-Ju
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Lee Junha
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Choi Young
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kwon Yongmin
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Choi Sung-Won
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Jung-Wook
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Park Yoon-Suk
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kang Woongdae
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Chung Jinil
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Seunghyun
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Ryu Yesin
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Cho Seong-Jin
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Shin Hoon
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Jung Hangyun
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kwon Sanghyuk
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kang Kyuchang
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Lee Jongmyung
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Song Yujung
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Young-Jae
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Eun-Ah
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Ha Kyung-Soo
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Kim Kyoung-Ho
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Hyun Seok-Hun
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Ko Seungbum
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Choi Jung-Hwan
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Sohn Young-Soo
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Park Kwang-Il
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)
Jang Seong-Jin
(Samsung Electronics, Hwaseong, Korea)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2018  号: ISSCC  ページ: 206-208  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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