文献
J-GLOBAL ID:201802226522260265
整理番号:18A2029346
3Dスタッカブルメモリ用の高耐久性自己加熱OTS-PCMピラーセル【JST・京大機械翻訳】
High Endurance Self-Heating OTS-PCM Pillar Cell for 3D Stackable Memory
著者 (13件):
Yeh C. W.
(Emerging Central Lab, Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
Chien W. C.
(Emerging Central Lab, Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
Bruce R. L.
(IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Cheng H. Y.
(Emerging Central Lab, Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
Kuo I. T.
(Emerging Central Lab, Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
Yang C. H.
(Emerging Central Lab, Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
Ray A.
(IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Miyazoe H.
(IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Kim W.
(IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Carta F.
(IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Lai E. K.
(Emerging Central Lab, Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, Taiwan)
,
BrightSky M.
(IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
,
Lung H. L.
(Emerging Central Lab, Macronix International Co., Ltd., Hsinchu, Taiwan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
VLSI Technology
ページ:
205-206
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)