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著者 (6件)：
資料名：
巻： 88-90 ページ： 482-485 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802227534197678
整理番号：18A1860054
シュートスルー現象からIGBTを保護するためのゲート遮蔽効果のバイアス電圧基準【JST・京大機械翻訳】
Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena
Tsukuda M.
(Advanced Power Devices Laboratory, Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan)
,
Tsukuda M.
(Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
,
Abe S.
(Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
,
Hasegawa K.
(Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
,
Ninomiya T.
(Advanced Power Devices Laboratory, Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan)
,
Omura I.
(Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 88-90 ページ： 482-485 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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