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巻： 45 号： 1 ページ： ROMBUNNO.45-1-01 発行年： 2018年04月
JST資料番号： F0452C ISSN： 2188-7268 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：201802228171731446
整理番号：18A0956418
特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~有機金属気相成長法によるN極性窒化物半導体の成長技術
Crystal Growth Technology of N-polar Nitride Semiconductors by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
谷川智之
(東北大 金属材料研)
,
PRASERTSUK Kiattiwut
(東北大 金属材料研)
,
木村健司
(東北大 金属材料研)
,
窪谷茂幸
(東北大 金属材料研)
,
松岡隆志
(東北大 金属材料研)
資料名：
日本結晶成長学会誌(CD-ROM)
(Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 45 号： 1 ページ： ROMBUNNO.45-1-01 発行年： 2018年04月
JST資料番号： F0452C ISSN： 2188-7268 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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