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資料名：
巻： 57 号： 3S2 ページ： 03EG14.1-03EG14.4 発行年： 2018年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802237439140933
整理番号：18A0887405
アルキル化有機薄膜トランジスタにおける膜被覆率および電荷輸送のin situ特性評価
In situ characterization of the film coverage and the charge transport in the alkylated-organic thin film transistor
WATANABE Takeshi
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN)
,
KOGANEZAWA Tomoyuki
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN)
,
KIKUCHI Mamoru
(Iwate Univ., Morioka, JPN)
,
MURAOKA Hiroki
(Iwate Univ., Morioka, JPN)
,
OGAWA Satoshi
(Iwate Univ., Morioka, JPN)
,
YOSHIMOTO Noriyuki
(Iwate Univ., Morioka, JPN)
,
HIROSAWA Ichiro
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 3S2 ページ： 03EG14.1-03EG14.4 発行年： 2018年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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