文献
J-GLOBAL ID:201802239075896510
整理番号:18A1699752
Al2O3不動態化アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタの電気的特性に及ぼす原子層堆積温度の影響
Effect of Atomic Layer Deposition Temperature on the Electrical Characteristics of Al2O3-passivated Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors
著者 (6件):
CORSINO Dianne
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
,
BERMUNDO Juan Paolo
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
,
FUJII Mami N.
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
,
TAKAHASHI Kiyoshi
(Nippon Aluminum Alkyls, Ltd.)
,
ISHIKAWA Yasuaki
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
,
URAOKA Yukiharu
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻:
79th
ページ:
ROMBUNNO.20p-234A-12
発行年:
2018年09月05日
JST資料番号:
Y0055B
ISSN:
2758-4704
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)