文献
J-GLOBAL ID:201802241095186611
整理番号:18A1334316
中間温度成長GaN層を用いた発光ダイオードの性能に及ぼすInGaN/GaN超格子の効果の分離
Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer
著者 (5件):
SUGIMOTO Kohei
(UBE Ind., Ltd., Yamaguchi, JPN)
,
OKADA Narihito
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
KURAI Satoshi
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
YAMADA Yoichi
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
TADATOMO Kazuyuki
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
6
ページ:
062101.1-062101.5
発行年:
2018年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)