文献
J-GLOBAL ID:201802242331536981
整理番号:18A0917514
カンチレバーの梁に埋め込まれた空乏層を持つシリコンp-nダイオードアクチュエータ
Silicon p-n diode actuators with depletion layer embedded in a beam of cantilever
著者 (4件):
NAKAI Yuri
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
KANAYA Kazuya
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
TANIGAWA Hiroshi
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
SUZUKI Kenichiro
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
57
号:
1
ページ:
017201.1-017201.9
発行年:
2018年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)