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著者 (2件)：
資料名：
巻： 145 ページ： 8-18 発行年： 2018年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802245296222821
整理番号：18A0959166
シリコンPINダイオードにおける逆回復特性の数値モデリング【JST・京大機械翻訳】
Numerical modeling of reverse recovery characteristic in silicon pin diodes
Yamashita Yusuke
(University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
,
Tadano Hiroshi
(University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 145 ページ： 8-18 発行年： 2018年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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