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J-GLOBAL ID:201802245912709610   整理番号:18A0623786

Cr_2O_3/強磁性体界面交換バイアス薄膜系における低エネルギー磁気電気スイッチングのための挿入した金属【Powered by NICT】

Inserted metals for low-energy magnetoelectric switching in a Cr2O3/ferromagnet interfacial exchange-biased thin film system
著者 (11件):
Ye Shujun
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-0845, Japan. ye.shujun@ecei.tohoku.ac.jp sahashi@ecei.tohoku.ac.jp)
Nozaki Tomohiro
Kotani Yoshinori
Toyoki Kentaro
Nakamura Tetsuya
Yonemura Syougo
Shibata Tatsuo
Pati Satya Prakash
Al-Mahdawi Muftah
Shiokawa Yohei
Sahashi Masashi

資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)

巻:号: 12  ページ: 2962-2969  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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