文献
J-GLOBAL ID:201802245912709610
整理番号:18A0623786
Cr_2O_3/強磁性体界面交換バイアス薄膜系における低エネルギー磁気電気スイッチングのための挿入した金属【Powered by NICT】
Inserted metals for low-energy magnetoelectric switching in a Cr2O3/ferromagnet interfacial exchange-biased thin film system
著者 (11件):
Ye Shujun
(Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-0845, Japan. ye.shujun@ecei.tohoku.ac.jp sahashi@ecei.tohoku.ac.jp)
,
Nozaki Tomohiro
,
Kotani Yoshinori
,
Toyoki Kentaro
,
Nakamura Tetsuya
,
Yonemura Syougo
,
Shibata Tatsuo
,
Pati Satya Prakash
,
Al-Mahdawi Muftah
,
Shiokawa Yohei
,
Sahashi Masashi
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
6
号:
12
ページ:
2962-2969
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)