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資料名：
巻： E101.C 号： 5 ページ： 338-342(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802245977236796
整理番号：18A0994660
II型HfS2/MoS2ヘテロ接合トランジスタ
Type-II HfS2/MoS2 Heterojunction Transistors
NETSU Seiko
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
,
KANAZAWA Toru
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
,
UWANNO Teerayut
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
,
AMEMIYA Tomohiro
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
,
NAGASHIO Kosuke
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo)
,
MIYAMOTO Yasuyuki
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Web)
(IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E101.C 号： 5 ページ： 338-342(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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