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J-GLOBAL ID：201802247443241056 整理番号：18A0446758

第2種エネルギーバンドアラインメントを用いた酸化物-半導体/(Si, SiGe, Ge)二層トンネル電界効果トランジスタの提案と実証【Powered by NICT】

Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment

著者 (5件)：

Kato K.

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

,

Matsui H.

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

,

Tabata H.

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

,

Takenaka M.

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

,

Takagi S.

(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2017 号： IEDM ページ： 15.6.1-15.6.4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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