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資料名：
巻： 57 号： 4S ページ： 04FB03.1-04FB03.9 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802253568196452
整理番号：18A0910863
(100)Siオンインシュレータ基板におけるナノSiC領域の形成:フォトルミネッセンス強度向上のためのホットC+イオン注入プロセスの最適化
Nano-SiC region formation in (100) Si-on-insulator substrate: Optimization of hot-C+-ion implantation process to improve photoluminescence intensity
MIZUNO Tomohisa
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
OMATA Yuhsuke
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
KANAZAWA Rikito
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
IGUCHI Yusuke
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
NAKADA Shinji
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
AOKI Takashi
(Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN)
,
SASAKI Tomokazu
(Toshiba Nanoanalysis Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FB03.1-04FB03.9 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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