文献
J-GLOBAL ID:201802258376364245
整理番号:18A2095939
二層リフトオフUV-NILとナノワイヤ破壊によるPtナノギャップ電極の作製【JST・京大機械翻訳】
Pt Nanogap Electrode Fabrication by Two-Layer Lift-Off UV-NIL and Nanowire Breakdown
著者 (5件):
Hashiguchi Kyouhei
(Department of Technology, Chiba Institute of Technology, Narashino, Japan)
,
Suzuki Kenta
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Hiroshima Hiroshi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Naitoh Yasuhisa
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
,
Suga Hiroshi
(Department of Technology, Chiba Institute of Technology, Narashino, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻:
17
号:
6
ページ:
1094-1097
発行年:
2018年
JST資料番号:
W1355A
ISSN:
1536-125X
CODEN:
ITNECU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)