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著者 (5件)：
資料名：
巻： 65 号： 4 ページ： 1440-1446 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802262749416683
整理番号：18A0623842
1.2kVトレンチクラスタIGBTの三次元スケール則の数値解析【Powered by NICT】
Numerical Analysis of 3-D Scaling Rules on a 1.2-kV Trench Clustered IGBT
Luo Peng
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
Long Hong Yao
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
Sweet Mark R.
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
De Souza Maria Merlyne
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
Narayanan Ekkanath Madathil Sankara
(Department of Electronic and Electrical Engineering, Electrical Machines and Drives Research Group, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65 号： 4 ページ： 1440-1446 発行年： 2018年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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