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J-GLOBAL ID:201802270036173320   整理番号:18A1104747

微小重力下の垂直勾配凍結法によるIn_xGa_1-xSbの配向依存溶解と成長速度論【JST・京大機械翻訳】

Orientation-dependent dissolution and growth kinetics of InxGa1-xSb by vertical gradient freezing method under microgravity
著者 (12件):
Nirmal Kumar V.
(Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, Japan)
Hayakawa Y.
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
Arivanandhan M.
(Centre for Nanoscience and Technology, Anna University, Chennai, India)
Rajesh G.
(Tagore Institute of Engineering and Technology, Deviyakurichi, Attur, India)
Koyama T.
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
Momose Y.
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
Ozawa T.
(Department of Electrical Engineering, Shizuoka Institute of Science and Technology, Shizuoka, Japan)
Okano Y.
(Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, Japan)
Okano Y.
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
Okano Y.
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan)
Inatomi Y.
(Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, Japan)
Inatomi Y.
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 496-497  ページ: 15-17  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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