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著者 (5件)：
資料名：
巻： 88-90 ページ： 677-683 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802270093533520
整理番号：18A1860091
短絡試験後のV_V強化モードGaN HEMTの故障解析【JST・京大機械翻訳】
Failure analysis of 650 V enhancement mode GaN HEMT after short circuit tests
Abbate C.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
,
Busatto G.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
,
Sanseverino A.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
,
Tedesco D.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
,
Velardi F.
(DIEI, University of Cassino and Southern Lazio, Via di Biasio, 43, 03043, Cassino, Italy)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 88-90 ページ： 677-683 発行年： 2018年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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