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J-GLOBAL ID:201802271719898192   整理番号:18A1903799

Si〈100〉デバイスにおける室温での局所磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Local Magnetoresistance at Room Temperature in Si <100> Devices
著者 (5件):
Ishikawa Mizue
(Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Suita, Japan)
Tsukahara Makoto
(Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Suita, Japan)
Yamada Michihiro
(Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Suita, Japan)
Saito Yoshiaki
(Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
Hamaya Kohei
(Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Suita, Japan)

資料名:
IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)

巻: 54  号: 11  ページ: ROMBUNNO.1400604.1-4  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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