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文献
J-GLOBAL ID:201802271825708052   整理番号:18A1899168

TaO_xベースReRAMのデータ保持中のビットバイビットセル電流変動の観測と解析【JST・京大機械翻訳】

Observation and Analysis of Bit-by-Bit Cell Current Variation During Data-Retention of TaOx-based ReRAM
著者 (4件):
Maeda Kazuki
(Department of Electrical Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan)
Matsuda Shinpei
(Department of Electrical Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan)
Takeuchi Ken
(Department of Electrical Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, 112-8551, Japan)
Yasuhara Ryutaro
(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd., 1 Kotari-yakemachi, Nagaokakyo, Kyoto, 617-8520, Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2018  号: ESSDERC  ページ: 46-49  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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