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J-GLOBAL ID：201802272082905834 整理番号：18A1682529

Mg及びNイオン注入によるβ-Ga_2O_3のアクセプタドーピング【JST・京大機械翻訳】

Acceptor doping of β-Ga₂O₃ by Mg and N ion implantations

著者 (7件)：

Wong Man Hoi

(National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan)

Lin Chia-Hung

(National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan)

Kuramata Akito

(Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan)

Yamakoshi Shigenobu

(Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan)

Murakami Hisashi

(Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)

Kumagai Yoshinao

(Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16 Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)

Higashiwaki Masataka

(National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 113 号： 10 ページ： 102103-102103-5 発行年： 2018年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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