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著者 (8件)：
資料名：
巻： 54 号： 11 ページ： ROMBUNNO.3401405.1-5 発行年： 2018年
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802272162454545
整理番号：18A1903913
高密度磁気ランダムアクセスメモリセルのための低Curie温度CoB/Pd多層膜を持つハイブリッドメモリ層【JST・京大機械翻訳】
Hybrid Memory Layer With Low Curie Temperature CoPd/Pd Multilayer for High-Density Magnetic Random-Access Memory Cells
Zhao W.
(Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
,
Dong X.
(Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
,
Kimura T.
(Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
,
Kato T.
(Department of Electronics, Nagoya University, Nagoya, Japan)
,
Oshima D.
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Japan)
,
Sonobe Y.
(Samsung R&D Institute Japan Co. Ltd., Yokohama, Japan)
,
Kawato Y.
(Samsung R&D Institute Japan Co. Ltd., Yokohama, Japan)
,
Iwata S.
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Magnetics
(IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 54 号： 11 ページ： ROMBUNNO.3401405.1-5 発行年： 2018年
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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