文献
J-GLOBAL ID:201802277406282853
整理番号:18A2234475
ITO/MoO_x/SiO_2/Si接触におけるMoO_xの界面仕事関数に及ぼすITOキャッピング層の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of ITO Capping Layer on Interface Workfunction of MoOx in ITO/MoOx/SiO2/Si Contacts
著者 (6件):
Kamioka Takefumi
(Meiji University, 1-1-1 Higashi-mita, Tama-ku, Kawasaki, Kanagawa, 214-8571, Japan)
,
Hayashi Yutaka
(Toyota Technological Institute, 2-12-1 Hisakata, Tempaku-ku, Nagoya, Aichi, 468-8511, Japan)
,
Isogai Yuki
(Toyota Technological Institute, 2-12-1 Hisakata, Tempaku-ku, Nagoya, Aichi, 468-8511, Japan)
,
Nakamura Kyotaro
(Toyota Technological Institute, 2-12-1 Hisakata, Tempaku-ku, Nagoya, Aichi, 468-8511, Japan)
,
Ohshita Yoshio
(Toyota Technological Institute, 2-12-1 Hisakata, Tempaku-ku, Nagoya, Aichi, 468-8511, Japan)
,
Ogura Atsushi
(Meiji University, 1-1-1 Higashi-mita, Tama-ku, Kawasaki, Kanagawa, 214-8571, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
WCPEC
ページ:
2024-2026
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)