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J-GLOBAL ID：201802279426316509 整理番号：18A1191055

多孔質Si:CおよびSiO_2:C層のEPR研究【JST・京大機械翻訳】

EPR Study of Porous Si:C and SiO₂:C Layers

著者 (7件)：

Savchenko Dariya

(National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”, pr. Peremohy 37, 03056 Kyiv, Ukraine)

Savchenko Dariya

(Institute of Physics of the CAS, Na Slovance 2, 18221, Prague 8, Czech Republic)

Vasin Andrii

(National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”, pr. Peremohy 37, 03056 Kyiv, Ukraine)

Vasin Andrii

(V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, pr. Nauky 41, 03028 Kyiv, Ukraine)

Muto Shunsuke

(Institute of Materials and Systems for Sustainability Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, 464-8601 Nagoya, Japan)

Kalabukhova Ekaterina

(V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, pr. Nauky 41, 03028 Kyiv, Ukraine)

Nazarov Alexei

(V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, pr. Nauky 41, 03028 Kyiv, Ukraine)

資料名：

Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)

巻： 255 号： 6 ページ： e1700559 発行年： 2018年
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 CODEN： PSSBBD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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