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著者 (3件)：
資料名：
巻： 7 号： 3 ページ： 210-217(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： F1055A ISSN： 2187-1094 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802280854106683
整理番号：18A0994814
半導体技術評価のためのメタパラメータ化アプローチ -SiC-MOSFETとSi-IGBT技術の比較-
A Meta-Parameterized Approach for the Evaluation of Semiconductor Technologies -A Comparison between SiC-MOSFET and Si-IGBT Technologies-
Barrera-Cardenas Rene
(Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
,
Isobe Takanori
(Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)
,
Molinas Marta
(Department of Engineering Cybernetics, Norwegian University of Science and Technology (NTNU))
資料名：
IEEJ Journal of Industry Applications
(IEEJ Journal of Industry Applications)
巻： 7 号： 3 ページ： 210-217(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： F1055A ISSN： 2187-1094 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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