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文献
J-GLOBAL ID:201802281673683375   整理番号:18A0575364

n型伝導を持つ薄膜に及ぼす焼なましのMn含有量と効果を変化させることによる強磁性(Zn,Sn,Mn)As_2薄膜における伝導型の制御【Powered by NICT】

Control of conduction type in ferromagnetic (Zn,Sn,Mn)As2 thin films by changing Mn content and effect of annealing on thin films with n-type conduction
著者 (7件):
Minamizawa Yuto
(Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Kitazawa Tomohiro
(Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Hidaka Shiro
(School of Science, Osaka University, 1-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan)
Toyota Hideyuki
(Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Nakamura Shin-ichi
(Aoyama Gakuin University, Sagamihara, Kanagawa 252-0206, Japan)
Uchitomi Naotaka
(Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
Uchitomi Naotaka
(Center for Spintronics Research Network, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 487  ページ: 34-39  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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