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著者 (5件)：
資料名：
巻： 6 ページ： 408-412 発行年： 2018年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802285298997930
整理番号：18A0822728
InGaAsトリゲートMOSFETにおける特定チャネル表面のトラップ分布を決定する方法【JST・京大機械翻訳】
A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-Gate MOSFETs
Netsu Seiko
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
,
Hellenbrand Markus
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden)
,
Zota Cezar B.
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden)
,
Miyamoto Yasuyuki
(Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan)
,
Lind Erik
(Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund, Sweden)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 6 ページ： 408-412 発行年： 2018年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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