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著者 (7件)：
資料名：
巻： 2017 号： IEDM ページ： 15.2.1-15.2.4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802286315751964
整理番号：18A0446754
過渡TCADシミュレーションにより研究した負性静電容量FinFETの展望【Powered by NICT】
Perspective of negative capacitance FinFETs investigated by transient TCAD simulation
Ota Hiroyuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Fukuda Koichi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Ikegami Tsutomu
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Hattori Junichi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Asai Hidehiro
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Migita Shinji
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Toriumi Akira
(Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IEDM ページ： 15.2.1-15.2.4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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