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文献
J-GLOBAL ID:201802287044259625   整理番号:18A0502700

III族窒化物エピタキシャル成長のためのパターン化サファイア基板

Patterned Sapphire Substrates for III-Nitride Epitaxial Growth
著者 (6件):
OMIYA Natsuko
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
AIDA Hideo
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
KIMURA Yutaka
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
KAWAMATA Yuki
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
KIM Seong-Woo
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
UNEDA Michio
(Kanazawa Inst. Technol., Nonoichi, JPN)

資料名:
International Journal of Automation Technology  (International Journal of Automation Technology)

巻: 12  号:ページ: 179-186  発行年: 2018年03月05日 
JST資料番号: L0997B  ISSN: 1881-7629  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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