文献
J-GLOBAL ID:201802287044259625
整理番号:18A0502700
III族窒化物エピタキシャル成長のためのパターン化サファイア基板
Patterned Sapphire Substrates for III-Nitride Epitaxial Growth
著者 (6件):
OMIYA Natsuko
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
AIDA Hideo
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIMURA Yutaka
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWAMATA Yuki
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIM Seong-Woo
(Namiki Precision Jewel Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
UNEDA Michio
(Kanazawa Inst. Technol., Nonoichi, JPN)
資料名:
International Journal of Automation Technology
(International Journal of Automation Technology)
巻:
12
号:
2
ページ:
179-186
発行年:
2018年03月05日
JST資料番号:
L0997B
ISSN:
1881-7629
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)