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資料名：
巻： 57 号： 4S ページ： 04FH04.1-04FH04.6 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201802289815391832
整理番号：18A0910947
側面X線照射モードを用いた効率的なX線-電流信号変換のためのウエハ上のシリコントレンチフォトダイオード
Silicon trench photodiodes on a wafer for efficient X-ray-to-current signal conversion using side-X-ray-irradiation mode
ARIYOSHI Tetsuya
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
TAKANE Yuta
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
IWASA Jumpei
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
SAKAMOTO Kenji
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
BABA Akiyoshi
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
ARIMA Yutaka
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57 号： 4S ページ： 04FH04.1-04FH04.6 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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